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THEORIS 302/FLOURIS 201 立式氧化爐 THEORIS 302/FLOURIS 201 Vertical Oxidation Furnace
??立式氧化爐(300mm/200mm)是在中高溫下通入特定氣體(O2/H2/DCE),在硅片表面發生氧化反應,生成二氧化硅薄膜的一種設備。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質層、犧牲氧化層和柵氧化層。

??隨著集成電路制造工藝要求的提高,特征尺寸不斷縮小,對高端集成電路工藝處理設備的需求也越來越強烈。相比較傳統爐管設備,立式氧化爐具備其獨特優勢:高效生產性能,高精度溫度控制性能,良好成膜均勻性能,先進顆粒控制技術,完整的工廠自動化接口等。北方華創立式氧化爐的出現,打破了長久以來的國外壟斷局面,推動了國內半導體事業的蓬勃發展,產生了可觀的經濟效益。

應用領域

??28nm及以上的集成電路、先進封裝、功率器件


適用工藝

??干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化、氮氧化硅氧化


產品優勢
  • 高精度溫度場控制技術。
  • 優良微環境低氧控制技術。
  • 良好的薄膜均勻性控制技術。
  • 先進的顆粒控制技術 。
  • 支持天車(OHT)自動化系統 。
  • 高產能(125 Wafer/Batch的產品能力)。
  • 良好的可維護性(Side by Side)。




聯系方式
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