首頁>產品&服務>半導體裝備 Semiconductor>氧化擴散設備 Oxide/Diff>THEORIS 302/FLOURIS 201 立式退火爐 THEORIS 302/FLOURIS 201 Vertical Anneal Furnace
產品&服務 Products & services
半導體裝備 Semiconductor
THEORIS 302/FLOURIS 201 立式退火爐 THEORIS 302/FLOURIS 201 Vertical Anneal Furnace

??立式退火爐(300mm/200mm)是在中低溫條件下,通入惰性氣體(N2),消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷,優化硅片界面質量的一種設備。

??在集成電路制造工藝過程中,硅片界面處存在的電荷堆積會影響到產品的電學特性與良率。通過退火工藝,能夠良好的實現改善晶格結構的工藝目的。為滿足不斷發展的集成電路制程微細化需求,THEORIS設備提供高精度的溫度控制算法、嚴格的金屬控制指標以及穩定的傳輸控制系統等解決方案,兼顧了工藝目標的實現與生產可靠性的保障。

應用領域

??28nm及以上集成電路、先進封裝、功率器件


適用工藝

??高,中,低溫退火


產品優勢

  • 先進的顆粒控制技術。
  • 有效的金屬污染控制水平。
  • 高精度的溫度場控制技術。
  • 高精度壓力控制技術。
  • 高產能(125 Wafer/Batch的產品能力)。
  • 支持天車(OHT)自動化系統。
  • 良好的可維護性(Side by Side)。




聯系方式
日日夜夜鲁 媽媽鲁播放 野狼社区,日日夜夜鲁 夜夜鲁 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>