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THEORIS 302/FLOURIS 201 立式低壓化學氣相沉積系統 THEORIS 302 / FLOURIS 201 Vertical LPCVD
??低壓化學氣相淀積(LPCVD)是在低壓條件下通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如:氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅薄膜淀積等。

??在集成電路制造技術特征尺寸越來越小的趨勢下,LPCVD爐管設備(300mm/200mm)存在均勻性差、顆粒多的問題,會導致產品電氣特性和良率受到影響。這帶來對高端LPCVD爐管設備的需求,而這些設備與傳統方式對比,需要獨特的技術,包括高精度溫度場控制、高精度壓力控制、良好的工藝均勻性、先進的顆粒控制技術、完整的工廠自動化接口、高速的數據采集算法等。對未來技術發展而言,會出現更高均勻性、更少顆粒、更高產能、更智能控制的進一步需求,這些需求將帶來對高端LPCVD爐管設備進一步的挑戰。

應用領域

  28nm及以上的集成電路、先進封裝、功率器件



適用工藝

 氮化硅薄膜淀積,二氧化硅薄膜淀積,多晶硅薄膜淀積,非晶硅薄膜淀積


產品優勢

  • 高精度溫度場控制技術。
  • 高精度壓力控制技術。
  • 優良微環境低氧控制技術。
  • 良好的薄膜均勻性。
  • 先進的顆粒控制能力。
  • 高產能,100-125 Wafer/Batch的產品能力。
  • 良好的可維護性(Side by Side)。
  • 完整的工廠自動化接口。



聯系方式
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