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HORIS L6371 多功能 LPCVD HORIS L6371 Multifunction LPCVD
  HORIS L6371 多功能 LPCVD是用加熱的方式,在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜,可應用于淀積SixNy(含低應力)、SiO2LTOTEOS)、Poly-Si等多種薄膜。

  與傳統方式對比,HORIS L6371 多功能 LPCVD 備通過獨特的氣路、腔體結構設計,配合相應的工藝配方,成功實現了薄膜應力在較大范圍內可控制,解決了由于薄膜應力存在,引起的變形、光學和力學性能改變 的問題;特殊設計的過濾系統,解決了傳統腔體和器件易受污染的問題,使之具有良好的潔凈度,改善產品的電性能和良率;具備良好的薄膜工藝均勻性、重復性; 設備系統易于維護;具有豐富行業經驗和成熟的配套工藝,可滿足客戶對多種薄膜淀積工藝需求。

應用領域

集成電路 IC、微機電系統 MEMS、功率器件 POWER


適用工藝:

二氧化硅(LTOTEOS)、氮化硅(Si3N4(含低應力))、多晶硅(LP-POLY)、磷硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、摻雜多晶硅、石墨烯、碳納米管等多種薄膜



產品優勢:

  • 獨特的進氣方式和分布,保證工藝成膜均勻性和重復性。
  • 成熟的工藝控制滿足客戶對TEOS低壓熱解法、常規氮化硅和低應力氮化硅、不同成膜速率多晶硅等不同LPCVD工藝高端需求。
  • 冷阱、粉塵過濾等特殊設計,提高設備腔室和器件潔凈度,易于維護,PM間隔長。
  • 良好的顆粒控制技術。
  • 特殊爐體設計,低能耗,高精度溫度場控制,具有良好的溫度重復性。
  • 模塊化部件設計,便于在潔凈室內安裝與啟動生產。
  • 軟件符合semi標準,功能齊全、界面友好,具備MES功能(可選項)。
  • 具有多種安全報警保護、安全互鎖、歷史記錄、操作日志查詢功能。
  • 1976年研制開發國內第一臺LPCVD設備,為國內設備與工藝最成熟LPCVD設備供應商,擁有幾十家客戶成功應用案例。
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